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二元掩模版也称为双极型掩模，是指由透光与不透光两种部分组成的光掩模版，是目前最广泛的光罩产品，其广泛用于365nm（I线）至193nm（ArF）的光刻工艺中，可覆盖的制程为130nm及以上的工艺节点。

OPC（Optical Proximity Correction）即光学邻近效应修正技术，是一种光刻分辨率增强技术。在芯片制造过程中，当关键图形的尺寸小于光源的波长时，光的衍射效应导致掩模投影至硅片上的图案边缘失真严重，因此需要对掩模图案进行设计上的修正和补偿，以此提高晶圆曝光时的图形分辨率与图像准确度。公司目前可应用多项 OPC 技术，并与客户密切合作，开发符合客户工艺要求的 OPC 光罩。

PSM（Phase Shift Mask）即相移掩模技术，其通过MOSi层产生180°的相位差，可以降低光的衍射作用，提高光罩图形的分辨率，增大焦深。公司初步研发了180nm工艺节点关键层的PSM掩模版技术，并将与客户密切合作，进一步开发符合要求的PSM掩模版。